Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):45 pF
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 darab
Félvezető anyaga:Si
fT:85 MHz
Funkció:Complementary power transistors
Gyártó:ON Semiconductor
Gyártói rendelési szám:MJD45H11T4G
hFE max.:40
hFE min.:60
Ic:8 A
Ic(puls):16 A
Jelzés a tokon:45H11G
Kiváltója:MJD45H11G, MJD45H11J
Láb szám:3 db
Max. hőmérséklet:+150°C
Pd:20 W
ROHS:igen
Spec.info:Párja: MJD45H11T4G
Szerelés:felületszerelt ( SMD )
Technológia:Epitaxial Silicon Transistor
tf (typ):140 ns
Tokozás:D-PAK ( TO-252 )
Tokozás (adatlap szerint):DPAK CASE 369C
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vcbo:80 V
VCE(sat)max.:1 V
Vceo:80 V
Vebo:5 V
