Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:4 MHz
Funkció:Excellent Gain Linearity
Gyártási idő:2015/04
Gyártó:ON Semiconductor
Gyártói rendelési szám:MJW21195G
hFE max.:80
hFE min.:20
Ic:16 A
Ic(puls):30 A
Láb szám:3 db
Pd:200 W
ROHS:igen
Spec.info:Párja: MJW21196
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Tokozás:TO-247
Tokozás (adatlap szerint):TO-247
Tranzisztor típus:PNP
Üzemi hőmérséklet:-65…+150 °C
Vcbo:400 V
VCE(sat):1 V
Vceo:250 V
Vebo:5 V




