Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):30 Pf
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:140 MHz
Funkció:Very low saturation VBE(sat)0.9V
Gyártó:DIODES INC.
Ic:2 A
Ic(puls):6 A
Láb szám:3 db
Pd:1 W
ROHS:igen
Spec.info:Párja: ZTX653
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:SILICON PLANAR
tf(max):600 ns
tf(min):40 ns
Tokozás:TO-92
Tokozás (adatlap szerint):TO-92
Tranzisztor típus:PNP
Üzemi hőmérséklet:-55…+200 °C
Vcbo:120 V
VCE(sat):0,17 V
Vceo:100 V
Vebo:5 V




