Leírás
Technikai paraméterek
C (in):6400 pF
C (out):465 pF
Csatorna típus:N
Csomagolás:rolni
Csomagolási egység:900 db
D-S védelem:dióda
DB/tokozás:1 db
Dioda Trr(Min.):42 ns
FET típusa:MOSFET
Funkció:Ultra Low On-Resistance
G-S védelem:nincs
Gyártó:Renesas Technology
Gyártói rendelési szám:NP82N055PUG-E1-AY
Id(imp):328 A
Id(T=25):82 A
Idss (max):1 uA
Idss (min):1 uA
Jelzés a tokon:82N055
Láb szám:2 db
Max. hőmérséklet:+175 °C
Pd:142 W
Rds(on):4,1 mOhm
ROHS:igen
Spec.info:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Szerelés:felületszerelt ( SMD )
td(off):72 ns
td(on):40 ns
Technológia:MOS Field Effect Transistor
Tokozás:D2PAK ( TO-263 )
Tokozás (adatlap szerint):MP-25ZP
Üzemi hőmérséklet:–
Vds(max):55 V
Vgs:20 V
Vgs(th) max.:4 v
Vgs(th) min.:2 V
