Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 darab
Félvezető anyaga:Si
fT:30 MHz
Funkció:Planar Medium Power, High Voltage Transistors
Gyártó:DIODES INC.
hFE max.:50
hFE min.:40
Ic:0,5 A
Ic(puls):1 A
Láb szám:3 db
Pd:1 W
ROHS:igen
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:SILICON PLANAR
Tokozás:TO-92
Tokozás (adatlap szerint):TO-92
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:-55…+200 °C
Vcbo:300 V
VCE(sat):0,5 V
Vceo:300 V
Vebo:5 V




