Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):2,8 pF
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:30 MHz
Funkció:Complementary Bipolar Power Transistor
Gyártási idő:201444 201513
Gyártó:ON Semiconductor
Gyártói rendelési szám:MJW3281AG
hFE max.:200
hFE min.:50
Ic:15 A
Ic(puls):25 A
Láb szám:3 db
Pd:200 W
ROHS:igen
Spec.info:Párja: MJW1302A
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:Power Bipolar Transistor
Tokozás:TO-247
Tokozás (adatlap szerint):TO-247
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:-65…+150 °C
Vcbo:230 V
VCE(sat):0,4 V
Vceo:230 V
Vebo:5 V




