STGW40H65DFB N-IGBT+D 650V 80A/160Ap 283W Vce(sat)1.6V Expressz szállítás

C (in):2200 pF

C (out):225 pF

C-E dióda:van

Csatorna típus:N

Csomagolás:műanyag cső

Csomagolási egység:30 db

Dioda Trr(Min.):310 ns

Funkció:High speed switching series, Low saturation voltage: VCE(sat)=1.6V (typ.) @ Ic=40A

G-E Dióda:nincs

Gyártó:STMicroelectronics

Gyártói rendelési szám:STGW40H65DFB

Ic:80 A

Ic(puls):160 A

Ic(T=100°C):40 A

Jelzés a tokon:GW40H65DFB

Láb szám:3 db

Pd:283 W

ROHS:igen

Spec.info:Trench gate field-stop, high speed HB series IGBT

Szerelés:furatszerelt ( THT )

td(off):100 ns

td(on):31 ns

Tokozás:TO-247

Tokozás (adatlap szerint):TO-247

Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C

VCE(sat):1,8 V

VCE(sat)max.:2,5 V

Vceo:600 V

VGE:20 V

VGE(th) min.:3,75 V

VGE(th)max.:5,75 V