RJH30H2DPK-M0 N-IGBT+D 300V 35A/250Ap. 60W Vce(sat)1.4V Kedvezmény

C (in):1200 pF

C (out):80 pF

C-E dióda:van

Csatorna típus:N

Csomagolás:–

Csomagolási egység:–

Dioda Trr(Min.):23 ns

Ezekhez a készülékekhez:Samsung PS42C450B1WXXU

Funkció:High Speed Power Switching

G-E Dióda:nincs

Gyártó:Renesas Technology

Gyártói rendelési szám:RJH30H2DPK-M0

Ic:35 A

Ic(puls):250 A

Ic(T=100°C):–

Jelzés a tokon:–

Láb szám:3 db

Pd:60 W

ROHS:igen

Spec.info:trr: 0.06uS

Szerelés:furatszerelt ( THT )

td(off):0,06 ns

td(on):0,02 ns

Technológia:Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser

Tokozás:TO-3PN ( 2-16C1B )

Tokozás (adatlap szerint):TO-3PSG

Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C

VCE(sat):1,4 V

VCE(sat)max.:1,9 V

Vceo:300 V

VGE:30 V

VGE(th) min.:2,5 V

VGE(th)max.:5 V