Leírás
Technikai paraméterek
CTR:20…50 %
Dioda IF:60 mA
Dioda IF(Pulsed):3 A
Dioda Pd:100 mW
Dioda VF:1,3 V
Funkció:Phototransistor Output, With Base Connection
Gyártó:VISHAY
Ic:50 mA
Ic(puls):100 mA
Infó1:Iceo: 5nA
Kimenet:tranzisztor és bázis kimenet
Láb szám:6 db
Lábtávolság:2,54 mm
Pd:150 mW
ROHS:igen
Szélső két láb távolsága:7,62 mm
Szerelés:furatszerelt ( THT )
tf (typ):2 us
Tokozás:DIP
Tokozás (adatlap szerint):DIP-6
Üzemi hőmérséklet:-55…+100 °C
Vcbo:70 V
VCE(sat)max.:0,5 V
Vceo:30 V
Vebo:7 V
Veco:7 V
Vrrm:5000 V
