Leírás
Technikai paraméterek
CTR:50…600 %
Dioda IF:60 mA
Dioda IF(Pulsed):1 A
Dioda Pd:100 mW
Dioda VF:1,15 V
Gyártó:TOSHIBA
Ic:50 mA
Ic(puls):–
Kimenet:tranzisztor és bázis kimenet
Láb szám:6 db
Lábtávolság:7,62 mm
Pd:150 mW
ROHS:igen
Szélső két láb távolsága:7,56 mm
Szerelés:furatszerelt ( THT )
tf (typ):3 us
Tokozás:DIP
Tokozás (adatlap szerint):DIP-6
tr (typ):2 us
Üzemi hőmérséklet:-55…+100 °C
Vcbo:80 V
VCE(sat):0,2 V
Vceo:55 V
Vebo:7 V
Veco:7 V
Vrrm:4 kV
