Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:130 MHz
Funkció:Very low saturation VBE(sat)0.92V
Gyártó:DIODES INC.
hFE max.:300
hFE min.:100
Ic:5 A
Ic(puls):20 A
Láb szám:3 db
Pd:1,58 W
ROHS:igen
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:SILICON PLANAR
tf(max):1100 ns
tf(min):45 ns
Tokozás:TO-92
Tokozás (adatlap szerint):TO-92
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:-55…+200 °C
Vcbo:150 V
VCE(sat):0,2 V
Vceo:60 V
Vebo:6 V




