MBQ60T65PESTH N-IGBT 650V 100A/180Ap 535W Vce(sat) 1,85V Kihagyhatatlan ajánlat

C-E dióda:van

Csatorna típus:N

Csomagolás:műanyag cső

Csomagolási egység:30 db

G-E Dióda:nincs

Gyártó:MagnaChip Semiconductor

Gyártói rendelési szám:MBQ60T65PESTH

Ic:100 A

Ic(puls):180 A

Ic(T=100°C):60 A

Jelzés a tokon:60T65PES

Láb szám:3 db

Pd:535 W

ROHS:igen

Szerelés:furatszerelt ( THT )

td(off):142 ns

td(on):45 ns

Technológia:High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation

Tokozás:TO-247

Tokozás (adatlap szerint):TO-247

Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C

VCE(sat):1,85 V

VCE(sat)max.:2,4 V

Vceo:650 V

VGE:20 V

VGE(th) min.:4 V

VGE(th)max.:6 V