Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):5 pF
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:50 MHz
Funkció:High Voltage Transistor
Gyártó:DIODES INC.
hFE max.:300
hFE min.:100
Ic:300 mA
Ic(puls):–
Láb szám:3 db
Pd:1 W
ROHS:igen
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
Tokozás:TO-92
Tokozás (adatlap szerint):TO-92
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:-55…+200 °C
Vcbo:400 V
VCE(sat):0,2 V
Vceo:400 V
Vebo:5 V




