Leírás
Technikai paraméterek
C (in):900 pF
C (out):325 pF
Csatorna típus:N
Csomagolás:műanyag cső
Csomagolási egység:50 db
D-S védelem:van
DB/tokozás:1 db
Dioda Trr(Min.):150 ns
FET típusa:MOSFET
Funkció:MOS-N-FET-e
G-S védelem:nincs
Gyártó:ON Semiconductor
Id(imp):30 A
Id(T=100):10 A
Id(T=25):12 A
Idss (max):50 uA
Idss (min):1 uA
Jelzés a tokon:F12N10L
Láb szám:3 db
Pd:60 W
Rds(on):0,2 Ohm
ROHS:igen
Spec.info:N-Channel Logoc Level Power MOSFET
Szerelés:furatszerelt ( THT )
td(off):100 ns
td(on):15 ns
Technológia:MegaFET process, Ppwer MOSFET
Tokozás:TO-220
Tokozás (adatlap szerint):TO-220AB
Üzemi hőmérséklet:-55…+155 °C
Vds(max):100 V
Vgs:10 V
Vgs(th) max.:2 V
Vgs(th) min.:1 V
