Leírás
Technikai paraméterek
C (in):3500 pF
C (out):270 pF
Csatorna típus:N
Csomagolás:műanyag cső
Csomagolási egység:30 db
D-S védelem:van
DB/tokozás:1 db
Dioda Trr(Min.):560 ns
FET típusa:MOSFET
Funkció:Extremely high dv/dt capability, Switching application
G-S védelem:van
Gyártó:STMicroelectronics
Gyártói rendelési szám:STW11NK100Z
Id(imp):33,2 A
Id(T=100):5,2 A
Id(T=25):8,3 A
Idss (max):50 uA
Idss (min):1 uA
Jelzés a tokon:W11NK100Z
Láb szám:3 db
Pd:230 W
Rds(on):1,1 Ohm
ROHS:igen
Spec.info:Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V
Szerelés:furatszerelt ( THT )
td(off):98 ns
td(on):27 ns
Technológia:Zener – Protected SuperMESH™ PowerMOSFET
Tokozás:TO-247
Tokozás (adatlap szerint):TO-247
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vds(max):1000 V
Vgs:30 v
Vgs(th) max.:4,5 V
Vgs(th) min.:3 V
