Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:–
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
C-E dióda:–
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:100 MHz
Funkció:Very low saturation VBE(sat)0.95V
Gyártó:DIODES INC.
hFE max.:800
hFE min.:300
Ic:2 A
Ic(puls):4 A
Láb szám:3 db
Pd:1,5 W
ROHS:igen
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:SILICON PLANAR
tf(max):750 ns
tf(min):35 us
Tokozás:TO-92
Tokozás (adatlap szerint):TO-92
Tranzisztor típus:PNP
Üzemi hőmérséklet:-55…+200 °C
Vcbo:75 V
VCE(sat):0,45 V
Vceo:70 V
Vebo:5 V




