Leírás
Technikai paraméterek
CTR:500 %
Dioda IF:80 mA
Dioda IF(Pulsed):3 A
Dioda Pd:150 mW
Dioda VF:1,2 V
Funkció:Phototransistor Output, With Base Connection
Gyártó:ON Semiconductor
hFE min.:5000
Ic:50 mA
Kimenet:darlington tranzisztor kimenet
Láb szám:6 db
Pd:150 mW
ROHS:igen
Spec.info:ton: 5us, toff: 100us
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Tokozás:DIP
Tokozás (adatlap szerint):DIP-6
Üzemi hőmérséklet:-55…+100 °C
Vcbo:100 V
VCE(sat)max.:1 V
Vceo:60 V
Veco:5 V
Vrrm:5300 V
