Leírás
Technikai paraméterek
Csatorna típus:P
D-S védelem:dióda
DB/tokozás:1 db
Dioda Trr(Min.):41 ms
FET típusa:MOSFET
G-S védelem:nincs
Gyártó:VISHAY
Id(imp):50 A
Id(T=100):9,1 A
Id(T=25):11,4 A
Idss (max):5 uA
Idss (min):1 uA
Láb szám:3 db
Pd:2,5 W
Rds(on):0,01 Ohm
ROHS:igen
Szerelés:felületszerelt ( SMD )
td(off):100 ns
td(on):15 ns
Technológia:TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET
Tokozás:SO
Tokozás (adatlap szerint):SO-8
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vds(max):30 V
Vgs:20 V
Vgs(th) min.:1 V
